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若干种氧化物半导体纳米线的制备及其应用的研究

2017-08-10 16:59 浏览:253    评论:0       
核心摘要:陈军 邓少芝 佘峻聪 许宁生(广州中山大学物理科学与工程技术学院,光电材料与技术国家重点实验室,显示材料与技术广东省重点实

陈军 邓少芝 佘峻聪 许宁生

(广州中山大学物理科学与工程技术学院,光电材料与技术国家重点实验室,显示材料与技术广东省重点实验室,广州 510275)

  氧化物半导体纳米线具有独特的物理性质,在显示、传感器、能量转换、存储器件等方面有广阔的应用前景,是目前纳米材料研究的热点之一[1-5]。在本文中,我们重点介绍氧化钨和氧化铜等氧化物半导体纳米线的制备及其它们在能量转换、气体敏感和显示方面的研究进展。我们研究了光和热对氧化铜和氧化钨纳米线场致电子发射特性的影响,研究了氧化钨纳米线的气敏和气致变色等特性,对相关的机理进行了研究分析,并探索了氧化物半导体纳米线在实用器件上应用的可行性。

参考文献:
1. X. D. Wang, J. H. Song, J. Liu, Z. L. Wang, Science, 316, 102(2007).
2. A. Ponzoni, E. Comini E, G. Sberveglieri, J. Zhou, S. Z. Deng, N. S. Xu, Y. Ding, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 88(20), 203101(2006).
3. J. Chen, N. Y. Huang, S. Z. Deng, J. C. She, N. S. Xu, W. X. Zhang, X. G. Wen, S. H. Yang, Appl. Phys. Lett. 86(15), 151107(2005).
4. H. J. Chen, N. S. Xu, S. Z. Deng, D. Y. Lu, Z. L. Li, J. Zhou, J. Chen, Nanotech. 18(20), 205701(2007).
5. D. Y. Lu, J. Chen, H. J. Chen, L. Gong, S. Z. Deng, N. S. Xu, Y. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 90( 4), 041919(2007).

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