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基于反应气体和生长温度的Nb掺杂TiO[2]薄膜相图研究(摘要)

2017-08-10 16:52 浏览:841    评论:0       
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基于反应气体和生长温度的Nb掺杂TiO2薄膜相图研究
王贺权1, 杜宇1,巴德纯2
(1. 沈阳航空航天大学 沈阳 110136;2.东北大学 沈阳110004)

Study on phase diagram of Nb doped TiO2 thin film based on reactive gas and growth temperature
WANG Hequan1, duyu1, BA Dechun2
(1 Shenyan Aerospace University,Shenyang 110136,China; 2 Northeastern University,Shenyang 110004,China)

摘要:应用RF(射频)磁控溅射设备在超白玻璃和石英玻璃等非晶基体上生长Nb掺杂TiO2薄膜。在固定的电源功率、频率、靶基距和溅射时间的条件下,通过改变基体温度、反应气体及其含量,可以得到相对准确的晶相分布图。在还原气体环境随着基体温度的增加得到了金红石相的Nb掺杂TiO2薄膜;在氧化气体环境中,不同的基体温度和不同的氧化气体含量能够生长出较为纯净的锐钛矿相及锐钛矿相和金红石相的混相。通过此相图的研究能够为制备良好的透明导电薄膜奠定实验基础。

关键词:Nb掺杂TiO2薄膜;反应气体;生长温度;相图

Abstract: Nb doped TiO2 thin films were sputtered on amorphous substrate such as ultra white glass or quartz glass by RF (radio frequency) magnetron sputtering apparatus. With the fixed power, frequency, target-substrate distance and time of sputtering, the phase diagram distribution can be got by changing the growth temperature, reactive gas and its content. with increasing growth temperature the rutile of Nb doped TiO2 thin film can be got in the reduction gas environment; with different growth temperature and different oxidation gas content pure anatase and mixed anatase and rutile phase can grow. Through the study on phase diagram it will became experimental foundation for the next experimental of transparent conductive film .

Key words: Nb doped TiO2 Thin Film;reactive gas; growth temperature; phase diagram

(责任编辑:小编)
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